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    • 专利摘要:
    本發明的一個方式提供一種高品質的發光裝置，在該發光裝置中，耗電量低，能夠發射鮮明的顏色的光，且亮度不均勻性低。本發明提供一種發光裝置，其中，多個發光單元分別具備發光元件，該發光元件在第一電極和第二電極之間具有含有有機化合物的層(EL層)，該第一電極根據每個該發光元件被斷開，該EL層包括含有發光物質的層(發光層)及設置在該第一電極和該發光層之間的含有施體物質及受體物質的層，並且，只在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間具有反錐形的分隔壁。
    公开号:TW201308592A
    申请号:TW101123285
    申请日:2012-06-28
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Nozomu Sugisawa；Kaoru Hatano；Shunpei Yamazaki
    申请人:Semiconductor Energy Lab；
    IPC主号:H01L27-00
    专利说明:
    發光裝置、電子裝置、及照明設備
    本發明係關於一種使用有機電致發光(Electroluminescence，以下也稱為EL)的發光裝置、電子裝置及照明設備。
    探討了將如下發光元件應用於下一代平板顯示器或照明，該發光元件具有易實現薄型輕量化、能夠對輸入信號進行高速回應、能夠用直流低電壓電源進行驅動等特徵並將有機化合物用作發光體。一般認為：尤其是將發光元件配置為矩陣狀的顯示裝置與習知的液晶顯示裝置相比具有視角寬且可見度優異的優點。
    將有機化合物用作發光體的發光元件(有機EL元件)的發光機制是如下機制：首先，藉由將含有發光有機化合物的層(EL層)夾在一對電極之間並施加電壓，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞傳輸到EL層，以使電流流過。所注入的電子和電洞然後導引EL層中的發光有機化合物到其激發態，由此由激發發光有機化合物獲得光發射。已知激發態有單重激發態和三重激發態，並且經過任何一種激發態都可以實現發光。
    構成發光元件的EL層至少具有發光層。另外，EL層也可以採用除了發光層之外還具有電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等的疊層結構。
    此外，當製造顯示全彩色的影像的裝置時，需要以矩陣狀配置至少發射紅色、綠色、藍色的三種顏色的光的發光元件。作為其方法，可以舉出如下方法：對EL層的需要的部分分別塗布各種顏色來設置發光顏色不同的發光元件的方法(以下，稱為分別塗布方式)；藉由使所有發光元件發射白色光，使濾色片重疊於上述發光元件的每一個並使白色光透過濾色片，來獲得各種顏色的方法(以下，稱為濾色片方式)；以及使所有發光元件發射藍色光或波長比藍色光短的光，使顏色轉換層重疊於上述發光元件的每一個，並使藍色光或波長比藍色光短的光透過顏色轉換層，來獲得各種顏色的方法(以下，稱為顏色轉換方式)等。例如，專利文獻1記載了使用濾色片方式的有機EL顯示裝置。
    [專利文獻1]日本專利申請公開第2004-227854號公報
    為了實現使用有機EL元件的顯示器或照明的實用化，要求實現使用有機EL元件的發光裝置的低耗電量化。另外，要求實現能夠發射鮮明的顏色的光且亮度不均勻性低的高品質的發光裝置。
    構成發光裝置的有機EL元件在根據每個元件分離地設置的第一電極和重疊於該第一電極的第二電極之間具備包括含有發光物質的層(發光層)的EL層。為了製造耗電量低的發光裝置，要求發光元件的驅動電壓低。例如，藉由將導電性高的層用於EL層，可以降低發光元件的驅動電壓。
    但是，在具備多個有機EL元件的發光裝置中，當EL層在第一電極和發光層之間具有導電性高的層時，易產生電流藉由導電性高的層流到相鄰的發光元件的現象。電流從處於發光狀態的發光元件流到相鄰的發光元件的上述現象會導致處於非發光狀態的相鄰的發光元件的發光。尤其是，若在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元中發光元件不意圖性地發射光，則發光裝置難以顯示所希望的顏色或鮮明的顏色。
    因此，本發明的一個方式的課題之一是提供一種高品質的發光裝置，在該發光裝置中，耗電量低，能夠發射鮮明的顏色的光，且亮度不均勻性低。
    另外，本發明的課題之一是提供一種使用該發光裝置的電子裝置或照明設備。
    為了抑制在呈現不同顏色的兩個發光單元之間電流藉由導電性高的層從處於發光狀態的發光元件流到處於非發光狀態的發光元件的現象，滿足如下條件即可：在它們之間不存在電流路徑；電流路徑的最短距離長；或者最短距離的電流經路的寬度窄。本發明的一個方式具有如下結構：在第一電極和發光層之間設置導電性高的層；並且只在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間設置反錐形的分隔壁，由此在該發光元件之間用該分隔壁使EL層(至少導電性高的層)斷開。
    藉由採用上述結構，可以抑制在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間電流從處於發光狀態的一方的發光元件流到處於非發光狀態的另一方的發光元件。因此，可以抑制處於非發光狀態的發光元件不意圖性地發射光。
    在彼此相鄰且呈現相同顏色的發光單元之間，沒有設置反錐形的分隔壁。因此，可以抑制該第二電極的電阻變高。另外，可以抑制如下現象：由於起因於第二電極的電阻的電位下降而導致發光不良，該發光不良引起發光裝置的亮度不均勻。
    明確而言，本發明的一個方式是一種發光裝置，其中，多個發光單元分別具備發光元件，該發光元件在第一電極和第二電極之間具有含有有機化合物的層(EL層)，第一電極根據每個發光元件被斷開，EL層包括含有發光物質的層(發光層)以及設置在第一電極和發光層之間的含有施體物質及受體物質的層，並且，只在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間具有反錐形的分隔壁。
    較佳的是，上述發光裝置具有隔著分隔壁彼此相鄰且呈現不同顏色的第一發光單元及第二發光單元，並且分隔壁的頂面形狀中的長邊的長度為第一發光單元中的與第二發光單元相對的邊的長度的90%以上。
    藉由採用上述結構，可以使從第一發光單元的發光元件到第二發光單元的發光元件的最短距離的電流路徑的寬度足夠窄。
    在上述發光裝置中，較佳的是，隔著分隔壁彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間的EL層(至少包含施體物質及受體物質的層)被斷開。
    在上述結構中，由於在隔著分隔壁彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間不存在從一方的發光單元的EL層到另一方的發光單元的EL層的電流路徑，所以是特別較佳的。
    在上述發光裝置中，較佳的是，在一個方向上連續地設置的呈現相同顏色的發光單元具有包括同一層的第二電極，並且在具備多個發光單元的發光部的外側第二電極與公共佈線電連接。
    藉由採用上述結構，可以抑制如下現象：由於起因於第二電極的電阻的電位下降而導致發光不良，該發光不良引起發光裝置的亮度不均勻。
    在上述發光裝置中，較佳的是，以圍繞發光部的外側的方式設置有公共佈線。
    藉由採用上述結構，可以抑制：製造發光裝置的製程中或使用發光裝置時產生的靜電等所導致的高電壓對構成發光部的發光元件或電晶體等元件造成靜電破壞(ESD：Electro Static Discharge)。
    在上述發光裝置中，施體物質較佳地為鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或稀土金屬化合物。
    在上述發光裝置中，較佳的是，含有有機化合物的層具有：具備含有發光有機化合物的層的第一層；具備含有發光有機化合物的層的第二層；以及形成在第一層和第二層之間的中間層。
    另外，本發明的一個方式是在顯示部中具有上述發光裝置的電子裝置。另外，本發明的一個方式是在照明部中具有上述發光裝置的照明設備。
    因為上述發光裝置在EL層中包括導電性高的層，所以可以實現耗電量低的電子裝置或照明設備。
    另外，因為只在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間具有反錐形的分隔壁，所以可以抑制在這些發光單元之間電流從處於發光狀態的一方的發光元件流到處於非發光狀態的另一方的發光元件。因此，可以抑制處於非發光狀態的發光元件不意圖性地發射光。
    在彼此相鄰且呈現相同顏色的發光單元之間，沒有設置反錐形的分隔壁。因此，可以抑制該第二電極的電阻變高。另外，可以抑制如下現象：由於起因於第二電極的電阻的電位下降而導致發光不良，該發光不良引起發光裝置的亮度不均勻。
    由此，可以實現能夠發射鮮明的顏色的光，且亮度不均勻性低的高品質的電子裝置或照明設備。
    本發明的一個方式可以提供一種高品質的發光裝置，在該發光裝置中，耗電量低，能夠發射鮮明的顏色的光，且亮度不均勻性低。
    另外，本發明的一個方式可以提供一種使用該發光裝置的電子裝置或照明設備。
    參照圖式對實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，以下說明的發明的結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。 實施方式1
    在本實施方式中，參照圖1A至圖3D對本發明的一個方式的發光裝置進行說明。
    本發明的一個方式的發光裝置具有多個發光單元。各發光單元具備發光元件，該發光元件在第一電極和第二電極之間具有含有有機化合物的層(EL層)。該第一電極根據每個發光元件被斷開。由於該EL層包括含有發光物質的層及設置在該第一電極和該含有發光物質的層之間的導電性高的層，所以在本發明的一個方式中可以實現驅動電壓低的發光元件或耗電量低的發光裝置。
    另外，在本發明的一個方式的發光裝置中，只在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間具有反錐形的分隔壁。因此，在本發明的一個方式中，即使如上所述那樣EL層包括導電性高的層，也可以抑制在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間電流從處於發光狀態的一方的發光元件流到處於非發光狀態的另一方的發光元件。由此，可以抑制處於非發光狀態的發光單元不意圖性地發射光，從而可以實現能夠發射鮮明的顏色的光的發光裝置。
    在彼此相鄰且呈現相同顏色的發光單元之間，沒有設置該反錐形的分隔壁。因此，可以抑制第二電極的電阻變高。由此，可以抑制如下現象：由於起因於第二電極的電阻的電位下降而導致發光不良，該發光不良引起發光裝置的亮度不均勻。
    圖1A示出本發明的一個方式的發光裝置中的反錐形的分隔壁150(的頂面形狀)與發光單元的位置關係的一個例子。另外，圖1B和圖1C分別是圖1A的A-B間、C-D間的剖面圖。
    另外，雖然在本實施方式中發光裝置具有用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)的三種顏色的發光單元呈現一個顏色的結構，但是作為顏色要素也可以使用RGB以外的顏色，例如也可以使用黃色(yellow)、青色(cyan)、洋紅色(magenta)等。在本實施方式中，各發光單元所具備的EL層的結構彼此相同(例如，採用發射白色光的結構)。各發光單元具備濾色片或顏色轉換層(未圖示)，例如紅色的發光單元具有紅色的濾色片並發射紅色光。
    如圖1B所示，紅色發光單元160R在絕緣表面100上具有發光元件130(第一電極118、EL層120及第二電極122)。另外，第一電極118的端部被具有錐形形狀的絕緣層124覆蓋。同樣地，綠色發光單元160G及藍色發光單元160B也在絕緣表面100上分別具有發光元件。各發光元件所具有的EL層包括含有發光物質的層及設置在該第一電極和該含有發光物質的層之間的導電性高的層。由此，在本發明的一個方式中，可以實現驅動電壓低的發光元件或耗電量低的發光裝置。
    作為導電性高的層，可以舉出：對可見光具有透光性並含有導電性高的物質(例如，銦錫氧化物(In2O3-SnO2，ITO))的層；或含有施體物質及受體物質的層。作為含有施體物質及受體物質的層，具體地可以使用：對有機化合物添加了鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或稀土金屬化合物的層；或包含聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等導電高分子的層。另外，含有施體物質及受體物質的層不僅可以為在同一膜中含有施體物質及受體物質的層，而且也可以為層疊有含有施體物質的層和含有受體物質的層的疊層。在實施方式3、實施方式4中，對發光元件的具體結構及可以用於發光元件的材料進行詳細說明。
    在圖1A、圖1B所示的發光裝置中，在紅色發光單元160R和綠色發光單元160G之間及在綠色發光單元160G和藍色發光單元160B之間等彼此相鄰且呈現不同顏色的發光元件之間設置有絕緣層124上的反錐形的分隔壁150。
    在本說明書中，反錐形是指具有比底部在平行於絕緣表面的方向上突出的側部或上部的形狀。
    分隔壁150可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料、金屬材料形成。例如，作為有機絕緣材料，可以使用負性光敏樹脂材料或正性光敏樹脂材料、非光敏樹脂材料等。此外，作為金屬材料可以使用鈦、鋁等。
    例如，藉由形成負性光敏有機膜並進行曝光、顯影處理，可以形成圖1B所示的分隔壁150。在此，藉由以曝光強度向有機膜的下部逐漸下降的方式調整曝光強度，可以得到反錐形的分隔壁150。或者，也可以藉由形成包括無機材料的膜，並對所希望的區域進行構圖來對包括無機材料的膜進行加工，來形成分隔壁150。包括無機材料的膜例如可以使用氧化矽、氮化矽等無機絕緣材料或鈦、鋁等導電材料等形成。
    上述反錐形的分隔壁能夠以該分隔壁為邊界使形成在其上方的膜物理斷開。例如，如圖1B所示的那樣，形成在分隔壁150上的EL層120以分隔壁150為邊界被電斷開。因此，可以抑制電流藉由分隔壁150從發光元件流到相鄰的發光元件。
    另外，當作為分隔壁150使用導電材料時，較佳的是，至少EL層120的導電性高的層不與分隔壁150接觸。另外，更較的是，以與分隔壁150接觸的方式設置第二電極122。藉由採用上述結構，可以抑制電流藉由分隔壁150從發光元件流到相鄰的發光元件而發生不意圖性的發光，並且第二電極122藉由分隔壁150成為導通由此確保電流路徑，所以可以抑制起因於第二電極122的電阻的電位下降。
    另外，分隔壁150的形狀只要是能夠使EL層(至少將導電性高的層)斷開的形狀即可。
    圖1D示出可以用於本發明的一個方式的分隔壁的剖面形狀的其他例子。圖1D所示的T字形狀的分隔壁150包括腳部150a和台部150b。
    以下示出包括腳部150a和台部150b的分隔壁150的形成方法。例如，首先形成包括有機絕緣材料的膜，並且在其上形成包括無機絕緣材料的膜。然後，在對所希望的區域進行構圖來對包括無機絕緣材料的膜進行加工之後，將該包括無機絕緣材料的膜用作掩模(所謂的硬掩模)對包括有機絕緣材料的膜進行加工。作為該包括有機絕緣材料的膜的加工，可以使用濕蝕刻、乾蝕刻等。另外，使用包括有機絕緣材料的膜形成的部分成為腳部150a，而使用包括無機絕緣材料的膜形成的部分成為台部150b。
    作為可以用於腳部150a的材料，例如可以使用負性光敏樹脂材料或正性光敏樹脂材料、非光敏樹脂材料等。另外，當將遮光材料用於台部150b時，也可以將台部150b用作遮光膜藉由曝光等來形成腳部150a。
    作為可以用於台部150b的材料，例如可以使用氧化矽、氮化矽等無機絕緣材料或者鈦、鋁等導電金屬材料等。
    另外，也可以使用無機絕緣材料形成腳部150a，並使用光敏有機材料形成台部150b。另外，也可以將蝕刻速度不同的無機材料組合而用於腳部150a和台部150b。另外，也可以作為腳部150a和台部150b使用具有彼此相反的光敏性的有機樹脂膜。另外，雖然圖1D示出分隔壁150為兩層結構的情況，但是分隔壁150也可以為單層或三層以上的多層。
    另外，當使用遮光材料設置分隔壁150時，可以特別抑制來自發光元件的發光洩漏到相鄰的發光單元，所以是較佳的。 <彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間>
    以下作為例子使用紅色發光單元160R及綠色發光單元160G之間的分隔壁150來進行說明。另外，在圖3A至圖3D中，以箭頭示出紅色發光單元160R的發光元件處於發光狀態且綠色發光單元160G的發光元件處於非發光狀態時的EL層中的電流路徑。
    圖1A及圖1B所示的發光裝置在紅色發光單元160R和綠色發光單元160G之間具有分隔壁150。該分隔壁150的頂面形狀中的長邊的長度與紅色發光單元160R中的相對於綠色發光單元160G的邊的長度大致相等(或者，與綠色發光單元160G中的相對於紅色發光單元160R的邊的長度大致相等)。
    如圖1C所示，在沒有設置分隔壁150的區域中EL層不被斷開，但是如圖1B所示，在設置有分隔壁150的區域中EL層被斷開。
    藉由採用上述結構，與沒有設置分隔壁150的結構(圖3A)相比，可以使從紅色發光單元160R的EL層到相鄰的綠色發光單元160G的EL層的電流路徑的最短距離長(圖3B)。因此，可以抑制電流從處於發光狀態的紅色發光單元160R的發光元件流到處於非發光狀態的綠色發光單元160G的發光元件，從而可以抑制處於非發光狀態的發光單元不意圖性地發射光。
    分隔壁150的頂面形狀不侷限於上述形狀。圖2A至圖2D示出本發明的一個方式的發光裝置中的反錐形的分隔壁150與發光單元的位置關係的其他例子。
    圖2A所示的發光裝置在紅色發光單元160R和綠色發光單元160G之間具有分隔壁150。該分隔壁150的頂面形狀中的長邊的長度是紅色發光單元160R中的與綠色發光單元160G相對的邊的長度的50%(或者，是綠色發光單元160G中的與紅色發光單元160R相對的邊的長度的50%)。
    藉由採用上述結構，與沒有設置分隔壁150的結構(圖3A)相比，可以使從紅色發光單元160R的EL層到相鄰的綠色發光單元160G的EL層的最短距離的電流路徑的寬度L窄(圖3C)。由此，可以抑制電流藉由導電性高的層從處於發光狀態的紅色發光單元160R的發光元件流到處於非發光狀態的綠色發光單元160G的發光元件，從而可以抑制處於非發光狀態的發光單元不意圖性地發射光。
    如圖2B所示，較佳的是，該分隔壁150的頂面形狀中的長邊的長度是紅色發光單元160R中的與綠色發光單元160G相對的邊的長度的90%以上(或者，是綠色發光單元160G中的與紅色發光單元160R相對的邊的長度的90%以上)。這是因為藉由使分隔壁150的頂面形狀中的長邊長，可以使從紅色發光單元160R的EL層到相鄰的綠色發光單元160G的EL層的最短距離的電流路徑的寬度特別窄。
    另外，如圖2C所示的那樣，也可以在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間設置有多個分隔壁150。
    另外，在圖1A至圖2C的結構中，紅色發光單元160R的第二電極與相鄰的綠色發光單元160G的第二電極導通。藉由採用上述結構，可以抑制如下現象：由於起因於第二電極的電阻的電位下降而導致發光不良，該發光不良引起發光裝置的亮度不均勻。
    另外，圖2D是如下結構：紅色發光單元160R的EL層與相鄰的綠色發光單元160G的EL層隔著分隔壁150斷開；並且不存在從紅色發光單元160R的EL層到相鄰的綠色發光單元160G的EL層的電流路徑(圖3D)。因此，可以特別抑制電流從處於發光狀態的紅色發光單元160R的發光元件流到處於非發光狀態的綠色發光單元160G的發光元件，所以可以說是更佳的結構。 <在一個方向上連續地設置的呈現相同顏色的發光單元之間>
    在圖1A和圖1B所示的發光裝置中，在紅色發光單元160R和紅色發光單元161R之間、綠色發光單元160G和綠色發光單元161G之間以及藍色發光單元160B和藍色發光單元161B之間等在一個方向上連續地設置的呈現相同顏色的發光單元之間，只形成有絕緣層124，沒有設置絕緣層124上的反錐形的分隔壁150。
    因此，可以抑制如下現象：由於起因於第二電極的電阻的電位下降而導致發光不良，該發光不良引起發光裝置的亮度不均勻。
    如上所述，本發明的一個方式的發光裝置具有如下結構：在第一電極和發光層之間設置導電性高的層；並且只在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間設置反錐形的分隔壁。藉由採用上述結構，可以提供如下高品質的發光裝置，在該發光裝置中，耗電量低，能夠發射鮮明的顏色的光，且亮度不均勻性低。
    本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。 實施方式2
    在本實施方式中，參照圖4A至圖4C對本發明的一個方式的發光裝置進行說明。在本實施方式中，對如下本發明的一個方式的發光裝置進行詳細說明，在該發光裝置中，在包括實施方式1所說明的發光單元的發光部的外側有公共佈線。
    在本發明的一個方式的發光裝置中，在一個方向上連續地設置的呈現相同顏色的發光單元具有包括相同層的第二電極。公共佈線與該第二電極電連接，並向該第二電極供應公共電位。藉由採用該結構，可以抑制第二電極的電位下降，由此可以提供亮度不均勻少的高品質的發光裝置。
    圖4A至圖4C示出本發明的一個方式的發光裝置中的反錐形的分隔壁150與第二電極122與公共佈線170的位置關係的一個例子。注意，在圖4A至圖4C中，省略設置在分隔壁150上的導電膜(當形成第二電極122時設置的膜)而進行圖示。
    如圖4A至圖4C所示的那樣，公共佈線170設置在發光部802的外側。另外，發光元件的EL層至少形成在發光部802中。
    另外，如圖4A和圖4B所示，在頂面形狀中，只要以公共佈線170的長軸與分隔壁150的長軸大致垂直的方式設置公共佈線170，即可。
    尤其是，如圖4B所示，在頂面形狀中，藉由以一對公共佈線170的長軸與分隔壁的長軸大致垂直的方式設置一對公共佈線170，在一個方向上連續地設置的呈現相同顏色的發光單元中，可以改善第二電極的電位的面內分佈。由此，可以抑制發光裝置的亮度不均勻，所以是較佳的。
    另外，如圖4A和圖4B所示，即使在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間具有分隔壁150且在這些發光單元之間第二電極不導通，也藉由設置公共佈線170來可以對彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間的第二電極施加公共電位。
    或者，如圖4C所示，也可以以圍繞發光部802的方式設置公共佈線170。藉由採用該結構，可以抑制：製造發光裝置的製程中或使用發光裝置時產生的靜電等所導致的高電壓對構成發光部的發光元件或電晶體等元件造成靜電破壞(ESD：Electro Static Discharge)。
    另外，如圖4C所示的那樣，當在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間具有分隔壁150且在這些發光單元之間第二電極導通時，藉由以圍繞發光部802的方式使公共佈線170與第二電極122電連接，在整個發光部802中可以改善第二電極的電位的面內分佈。因此，可以抑制發光裝置的亮度不均勻，所以是較佳的。
    藉由使用與構成發光單元的佈線、電極等同一層構成公共佈線170，可以不增加製程地設置公共佈線。例如，可以使用與發光元件的第一電極同一層構成公共佈線170。另外，當發光單元包括電晶體時，可以使用與該電晶體的電極等同一層構成公共佈線170。
    如上所述，本發明的一個方式的發光裝置設置有與第二電極電連接的公共佈線。藉由採用該結構，可以抑制第二電極的電位下降，從而可以提供亮度不均勻性低的高品質的發光裝置。
    本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。 實施方式3
    使用圖5A和圖5B及圖9對本發明的一個方式的發光裝置進行說明。圖9是示出發光裝置的平面圖，圖5A和圖5B分別是以虛線E-F切斷圖9的剖面圖。另外，在圖9中省略絕緣層104等一部分的結構而進行圖示。另外，圖5A與圖5B的差異為分隔壁的結構，而其他部分彼此相同。
    本實施方式的發光裝置在發光部中具有多個發光單元。各發光單元具備發光元件，該發光元件在第一電極和第二電極之間具有EL層。該第一電極根據每個發光元件被斷開。由於該EL層包括含有發光物質的層及設置在該第一電極和該含有發光物質的層之間的導電性高的層，所以可以實現發光元件的驅動電壓低且耗電量低的發光裝置。
    另外，在本實施方式的發光裝置中，只在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間具有反錐形的分隔壁。因此，即使EL層包括導電性高的層，也可以抑制在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間電流從處於發光狀態的一方的發光元件流到處於非發光狀態的另一方的發光元件。由此，可以抑制處於非發光狀態的發光單元不意圖性地發射光，從而可以實現能夠發射鮮明的顏色的光的發光裝置。
    在彼此相鄰且呈現相同顏色的發光單元之間，沒有設置該反錐形的分隔壁。再者，具有與第二電極電連接的公共佈線。因此，可以抑制第二電極的電阻變高。由此，可以抑制第二電極的電位下降，從而可以實現亮度不均勻性低的高品質的發光裝置。
    在根據本實施方式的主動矩陣型發光裝置中，在基板801上具有發光部802、驅動電路部803(閘極側驅動電路部)、驅動電路部804(源極側驅動電路部)、接觸部807及固定部805。發光部802、驅動電路部803、804及接觸部807密封在由基板801、806及固定部805形成的空間中。
    另外，本實施方式的發光裝置中的發光部802及接觸部807具有圖4C所示的結構。
    在基板801上設置用於連接外部輸入端子的引線，該外部輸入端子將來自外部的信號(視頻信號、時脈信號、起始信號或重設信號等)或電位傳送到驅動電路部803、804。在此示出了作為外部輸入端子設置FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)808的例子。另外，印刷線路板(PWB)也可以貼附到FPC808上。本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置本體，而且還包括FPC或PWB貼附到發光裝置本體上的狀態。
    驅動電路部803、804具有多個電晶體。在圖5A和圖5B中示出驅動電路部803具有將n通道型電晶體152和p通道型電晶體153組合而成的CMOS電路的例子。驅動電路部的電路可以利用多種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，在本實施方式中，雖然示出驅動電路形成在形成有發光部的基板上的驅動器一體型，但是本發明不侷限於該結構，也可以將驅動電路形成在與形成有發光部的基板不同的基板上。
    發光部802包括多個發光單元，該發光單元包括開關用電晶體、電流控制用電晶體140以及與電流控制用電晶體140的佈線(源極電極或汲極電極)電連接的第一電極118。另外，以覆蓋第一電極118的端部的方式形成有絕緣層124。另外，在絕緣層124上形成實施方式1所示的分隔壁150。
    發光元件130包括第一電極118、含有有機化合物的層(EL層)120及第二電極122。
    在接觸部807中，第二電極122與公共佈線170電連接。雖然在本實施方式中示出利用與第一電極118相同的製程形成公共佈線170的例子(使用與第一電極118相同的材料形成公共佈線170的例子)，但是公共佈線170的材料不侷限於此。例如，公共佈線170也可以使用包括在電晶體140、152、153中的導電層相同的材料形成。 <材料>
    以下示出可以用於本發明的一個方式的發光裝置的材料的一個例子。 [基板801、806]
    作為基板，可以使用玻璃、石英、有機樹脂等材料。取出來自發光元件130的光的一側的基板使用對該光具有透光性的材料。
    當作為基板使用有機樹脂時，作為有機樹脂例如可以使用如下材料：聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂或聚氯乙烯樹脂等。此外，也可以使用在玻璃纖維中浸滲有機樹脂的基板或在有機樹脂中混合有無機填料的基板。
    另外，為了抑制包含在基板801中的雜質擴散到設置在基板801上的各元件，在基板801表面設置有絕緣層104。 [電晶體]
    對用於本發明的一個方式的發光裝置的電晶體(電晶體140、152、153等)的結構沒有特別的限制，既可以使用頂閘極型電晶體，又可以使用反交錯型等底閘極型電晶體。另外，對用於電晶體的材料也沒有特別的限制。
    閘極電極106例如可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料的單層或疊層來形成。
    閘極絕緣層108例如可以藉由電漿CVD法或濺射法等並使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、或氧化鋁的單層或疊層來形成。
    半導體層110可以使用矽或氧化物半導體形成。矽例如為單晶矽或多晶矽等，作為氧化物半導體可以適當地使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物等。但是，當作為半導體層110使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物的氧化物半導體來形成截止電流低的半導體層時，可以抑制在後面形成的發光元件130的處於截止狀態時的洩漏電流，所以是較佳的。
    源極電極層112a及汲極電極層112b例如可以使用含有選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素的金屬膜或者含有該元素的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)等。此外，也可以在Al、Cu等金屬膜的下側或上側中的一者或兩者層疊Ti、Mo、W等高熔點金屬膜或這些元素的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)。另外，源極電極層112a及汲極電極層112b也可以使用導電金屬氧化物形成。作為導電金屬氧化物，例如可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、ITO、氧化銦氧化鋅(In2O3-ZnO等)、或者使這些金屬氧化物材料含有氧化矽的材料。
    第一絕緣層114產生抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體的效果。第一絕緣層114可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣膜。
    為了減小起因於電晶體的表面的凹，較佳的是，作為第二絕緣層116選擇具有平坦化功能的絕緣膜。例如，可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以藉由層疊多個由上述材料形成的絕緣膜來形成第二絕緣層116。 [絕緣層124]
    以覆蓋第一電極118的端部的方式設置有絕緣層124。為了改善形成在絕緣層124上的第二電極122的覆蓋性，較佳的是，在絕緣層124的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，較佳地，使絕緣層124的上端部或下端部包括具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。另外，作為絕緣層124的材料，可以使用諸如負性光敏樹脂或正性光敏樹脂等的有機化合物或諸如氧化矽、氧氮化矽等無機化合物。另外，藉由使用具有遮光性的材料設置絕緣層124，可以抑制來自發光元件的發光洩漏到相鄰的發光單元，因此是較佳的。 [發光元件]
    第一電極118設置在與取出光的一側相反的一側，並使用具有反射性的材料形成。作為具有反射性的材料，可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀等金屬材料。除此之外，也可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等含有鋁的合金(鋁合金)或者銀和銅的合金等含有銀的合金。銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。
    EL層120至少具有含有發光物質的層(發光層)及設置在第一電極和發光層之間的導電性高的層。此外，可以構成適當地組合如下層的層疊結構：包含電子傳輸性高的物質的層；包含電洞傳輸性高的物質的層；包含電子注入性高的物質的層；包含電洞注入性高的物質的層；以及包含雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)的層等。在實施方式4中對EL層的構成例子進行詳細說明。
    作為可以用於第二電極122的具有透光性的材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等。
    另外，作為第二電極122，可以使用金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀、鈦等金屬材料。或者，也可以使用這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，也可以使用石墨烯。另外，當使用金屬材料(或者其氮化物)時，將第二電極122形成為薄，以使其具有透光性，即可。
    另外，雖然在本實施方式中例示出頂部發射結構的發光裝置，但是也可以採用底部發射結構(下面發射結構)或雙發射結構(雙面發射結構：dual emission structure)的發光裝置。 [濾色片．黑矩陣]
    在基板806的與發光元件130重疊的位置設置有濾色片166。為了對來自發光元件130的發光顏色進行調色，設置濾色片166。例如，當使用白色發光的發光元件製造全彩色顯示裝置時，使用設置有不同顏色的濾色片的多個發光單元。此時，既可以使用紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的三種顏色，又可以使用上述三種顏色和黃色(Y)的四種顏色。
    另外，在彼此相鄰的濾色片166之間設置有黑矩陣164。黑矩陣164遮擋來自相鄰的發光單元的發光元件130的光，來抑制彼此相鄰的發光單元之間的混色。在此，藉由以與黑矩陣164重疊的方式設置濾色片166的端部，可以抑制光洩漏。作為黑矩陣164可以使用遮擋來自發光元件130的發光的材料，而可以使用金屬或有機樹脂等材料。另外，黑矩陣164也可以設置在驅動電路部803等發光部802以外的區域中。
    另外，還形成有覆蓋濾色片166及黑矩陣164的保護層168。保護層168包括透過來自發光元件130的發光的材料，例如可以使用無機絕緣膜或有機絕緣膜。另外，若不需要保護層，也可以不設置保護層168。 [固定部805]
    基板801和基板806在固定部805處使用密封材料等黏合。作為密封材料，可以使用熱固性樹脂或光固性樹脂等有機樹脂或者包括低熔點玻璃的玻璃粉等。另外，密封材料也可以含有乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)等藉由化學吸附吸收水分的物質。作為其他乾燥劑，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附吸收水分的物質。當密封材料含有乾燥劑時，可以降低密封區域內的水分等雜質而提高發光元件130的可靠性，所以是較佳的。
    另外，發光元件130設置在由基板801、基板806及密封材料圍繞的密封區域169內。該密封區域169既可以填充有稀有氣體或氮氣體等惰性氣體或有機樹脂等固體，又可以為減壓氛圍。當用氣體或固體填充密封區域169或採用減壓氛圍時也藉由使密封區域內處於降低了水或氧等雜質的狀態來可以提高發光元件的可靠性，所以是較佳的。
    另外，可以使分隔壁用作隔離物(spacer)。例如，如圖5B所示的那樣，可以採用基板806隔著保護層168、黑矩陣164等接觸於分隔壁151的結構。
    另外，雖然在本實施方式中以使用濾色片方式的發光裝置為例子進行說明，但是本發明的結構不侷限於此。例如，也可以使用分別塗布方式或顏色轉換方法。
    本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。 實施方式4
    在本實施方式中，參照圖6A至圖6C對能夠用於本發明的一個方式的發光裝置的EL層的結構例子進行說明。
    在本發明的一個方式中，EL層包括含有發光物質的層(發光層)及導電性高的層。因此，在本發明的一個方式中，可以實現驅動電壓低的發光元件或耗電量低的發光裝置。
    作為EL層可以使用已知的物質，也可以使用低分子類化合物和高分子類化合物中的任一個。另外，形成EL層的物質不僅包括只由有機化合物構成的結構，而且包括其一部分含有無機化合物的結構。
    在圖6A中，在第一電極118和第二電極122之間設置有EL層120。並且，EL層120包括發光層703及設置在第一電極118和發光層703之間的導電性高的層。
    圖6A所示的EL層120從第一電極118一側依次層疊有電洞注入層701、電洞傳輸層702、發光層703、電子傳輸層704及電子注入層705。
    例如，藉由作為電洞注入層701使用聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等導電高分子，可以使電洞注入層701為導電性高的層。
    如圖6B所示的那樣，在第一電極118和第二電極122之間也可以層疊有多個EL層。在該情況下，較佳的是，在層疊的第一EL層120a和第二EL層120b之間設置電荷產生層709。具有這種結構的發光元件不容易發生能量的移動或猝滅等問題。並且，由於可以選擇的材料的範圍更廣，因此容易得到兼有高發光效率和長壽命的發光元件。另外，也容易從一方的EL層得到磷光發光，並從另一方的EL層得到螢光發光。這種結構可以與上述EL層的結構組合而使用。
    另外，藉由使每個EL層的發光顏色互不相同，可以作為整個發光元件得到所希望的顏色的發光。例如，在具有兩個EL層的發光元件中，藉由使第一EL層和第二EL層的發光顏色為互補色，也可以得到作為整個發光元件發射白色光的發光元件。另外，“互補色”是指在混合時成為無色的顏色之間的關係。即，藉由將從發射互補色光的物質得到的光混合，可以得到白色發光。同樣原理可以應用於具有三個以上的EL層的發光元件。
    如圖6C所示的那樣，EL層120也可以在第一電極118與第二電極122之間具有電洞注入層701、電洞傳輸層702、發光層703、電子傳輸層704、電子注入緩衝層706、電子中繼層(electron-relay layer)707以及與第二電極122接觸的複合材料層708。
    藉由設置與第二電極122接觸的複合材料層708，特別是在利用濺射法形成第二電極122時可以降低EL層120所受到的損傷，所以是較佳的。
    因為藉由設置電子注入緩衝層706，可以緩和複合材料層708與電子傳輸層704之間的注入勢壘，所以可以將在複合材料層708中產生的電子容易注入到電子傳輸層704中。
    較佳的是，在電子注入緩衝層706與複合材料層708之間形成電子中繼層707。雖然不一定必須設置電子中繼層707，但是藉由設置電子傳輸性高的電子中繼層707，可以將電子迅速傳送到電子注入緩衝層706。
    在複合材料層708和電子注入緩衝層706之間夾持電子中繼層707的結構是複合材料層708所包含的受體物質和電子注入緩衝層706所包含的施體物質彼此不容易相互作用，並且不容易互相影響各自的功能的結構。因而，可以抑制驅動電壓的升高。
    例如，藉由作為電子注入緩衝層706使用含有施體物質及受體物質的層(明確而言，對有機化合物添加了鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或稀土金屬化合物的層)，可以使電子注入緩衝層706為導電性高的層。
    以下例示可以用於各層的材料。
    電洞注入層701是包含具有高電洞注入性的物質的層。作為具有高電洞注入性的物質，例如可以使用金屬氧化物，諸如氧化鉬、氧化鈦、氧化釩、氧化錸、氧化釕、氧化鉻、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、氧化銀、氧化鎢和氧化錳等。此外，也可以使用酞菁基化合物，諸如酞菁(縮寫：H2Pc)或酞菁銅(II)(縮寫：CuPc)等。
    或者，可以使用如下低分子有機化合物的芳香胺化合物等，諸如4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(縮寫：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(縮寫：MTDATA)、4,4’-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫：DPAB)、4,4’-雙(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯苯(縮寫：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(縮寫：DPA3B)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCN1)等。
    另外，可以使用高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物或聚合物等)。例如可以使用高分子化合物，諸如聚(N-乙烯基咔唑)(縮寫：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(縮寫：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯醯胺](縮寫：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](縮寫：Poly-TPD)等。此外，還可以使用添加有酸的高分子化合物，諸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。
    尤其是，較佳的是，作為電洞注入層701，使用使電洞傳輸性高的有機化合物包含受體物質的複合材料。藉由使用使電洞傳輸性高的物質包含受體物質的複合材料，可以使從第一電極118注入電洞時的電洞注入性良好，而可以降低發光元件的驅動電壓。這些複合材料藉由共蒸鍍電洞傳輸性高的物質和受體物質來可以形成。藉由使用該複合材料形成電洞注入層701，容易將電洞從第一電極118注入到EL層120。
    作為用於複合材料的有機化合物，可以使用各種化合物，諸如芳族胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。較佳的是，作為用於複合材料的有機化合物，使用電洞傳輸性高的有機化合物。明確而言，較佳的是，使用電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。注意，只要是電洞傳輸性大於電子傳輸性的物質，就還可以使用上述物質之外的物質。下面，具體地例舉可以用於複合材料的有機化合物。
    作為可以用於該複合材料的有機化合物，例如可以使用如下材料：芳族胺化合物，諸如TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(縮寫：TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(縮寫：BPAFLP)等；以及咔唑衍生物，諸如4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(縮寫：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(縮寫：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：PCzPA)、1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。
    此外，可以使用如下芳香烴化合物，諸如2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：t-BuDNA)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(縮寫：DPPA)、2-叔丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(縮寫：t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：DNA)、9,10-二苯基蒽(縮寫：DPAnth)、2-叔丁基蒽(縮寫：t-BuAnth)、9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(縮寫：DMNA)、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基)-2-叔丁基蒽、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽等。
    或者，可以使用如下芳香烴化合物，諸如2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9’-聯蒽、10,10’-二苯基-9,9’-聯蒽、10,10’-雙(2-苯基苯基)-9,9’-聯蒽、10,10’-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9’-聯蒽、蒽、稠四苯、紅熒烯、苝、2,5,8,11-四(叔丁基)苝、稠五苯、蔻、4,4’-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(縮寫：DPVBi)、9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(縮寫：DPVPA)等。
    另外，作為電子受體，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(縮寫：F4-TCNQ)、氯醌等有機化合物或過渡金屬氧化物。另外，還可以舉出屬於元素週期表第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，較佳的是，使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，因為這些金屬氧化物具有高電子接受性。其中，尤其佳的是，使用氧化鉬，因為氧化鉬在大氣中也穩定，吸濕性低，容易處理。
    另外，也可以使用上述高分子化合物例如PVK、PVTPA、PTPDMA或Poly-TPD等以及上述電子受體形成複合材料，並將其用於電洞注入層701。
    電洞傳輸層702是包含電洞傳輸性高的物質的層。作為電洞傳輸性高的物質，例如可以使用芳族胺化合物，諸如NPB、TPD、BPAFLP、4,4’-雙[N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫：DFLDPBi)或4,4’-雙[N-(螺環-9,9’-聯茀-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫：BSPB)等。在此所述的物質主要是其電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。注意，只要是電洞傳輸性大於電子傳輸性的物質，就也可以使用上述物質之外的物質。另外，包含電洞傳輸性高的物質的層不限於單層，也可以為兩層以上的由上述物質構成的層的疊層。
    另外，作為電洞傳輸層702，也可以使用CBP、CzPA、PCzPA等咔唑衍生物或t-BuDNA、DNA、DPAnth等蒽衍生物。
    此外，作為電洞傳輸層702，也可以使用PVK、PVTPA、PTPDMA或Poly-TPD等高分子化合物。
    發光層703例如可以使用發射螢光的螢光化合物或發射磷光的磷光化合物。
    在可以用於發光層703的螢光化合物中，例如作為發射藍光的材料可以舉出N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(縮寫：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(縮寫：YGAPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(縮寫：PCBAPA)等。另外，作為發射綠光的材料可以舉出N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPABPhA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)]-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(縮寫：2YGABPhA)、N,N,9-三苯蒽-9-胺(縮寫：DPhAPhA)等。作為發射黃光的材料可以舉出紅熒烯、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(縮寫：BPT)等。另外，作為發射紅光的材料可以舉出N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)稠四苯-5,11-二胺(縮寫：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)苊並(acenaphtho)[1,2-a]熒蒽-3,10-二胺(縮寫：p-mPhAFD)等。
    另外，在可以用於發光層703的磷光化合物中，例如作為發射藍光的材料可以舉出四(1-吡唑基)硼酸雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]銥(III)(縮寫：FIr6)、吡啶甲酸雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]銥(III)(縮寫：FIrpic)、吡啶甲酸雙{2-[3’,5’-雙(三氟甲基)苯基]吡啶-N,C2’}銥(III)(縮寫：Ir(CF3ppy)2(pic))、乙醯丙酮雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]銥(III)(縮寫：FIr(acac))等。作為發射綠光的材料可以舉出三(2-苯基吡啶-N,C2’)銥(III)(縮寫：Ir(ppy)3)、乙醯丙酮雙(2-苯基吡啶-N,C2’)銥(III)(縮寫：Ir(ppy)2(acac))、乙醯丙酮雙(1,2-二苯基-IH-苯並咪唑)銥(III)(縮寫：Ir(pbi)2(acac))、乙醯丙酮雙(苯並[h]喹啉)銥(III)(縮寫：Ir(bzq)2(acac))、三(苯並[h]喹啉)銥(III)(縮寫：Ir(bzq)3)等。另外，作為發射黃光的材料可以舉出乙醯丙酮雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2’)銥(III)(縮寫：Ir(dpo)2(acac))、乙醯丙酮雙[2-(4’-(全氟苯基苯基)吡啶]銥(III)(縮寫：Ir(p-PF-ph)2(acac))、乙醯丙酮雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2’)銥(III)(縮寫：Ir(bt)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)-5-甲基吡嗪]銥(III)(縮寫：Ir(Fdppr-Me)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2-(4-甲氧基苯基)-3,5-二甲苯吡嗪]銥(III)(縮寫：Ir(dmmoppr)2(acac))等。作為發射橙色光的材料可以舉出三(2-苯基喹啉-N,C2’)銥(III)(縮寫：Ir(pq)3)、乙醯丙酮雙(2-苯基喹啉-N,C2’)銥(III)(縮寫：Ir(pq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(縮寫：Ir(mppr-Me)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(縮寫：Ir(mppr-iPr)2(acac))等。作為發射紅光的材料可以舉出有機金屬錯合物，諸如，乙醯丙酮雙[2-(2’-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3’)銥(III)(縮寫：Ir(btp)2(acac))、乙醯丙酮雙(1-苯基異喹啉-N,C2’)銥(III)(縮寫：Ir(piq)2(acac)、(乙醯丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉]銥(III)(縮寫：Ir(Fdpq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3,5-三苯基吡嗪]銥(III)(縮寫：Ir(tppr)2(acac))、(二新戊醯甲烷)雙(2,3,5-三苯基吡嗪)銥(III)(縮寫：Ir(tppr)2(dpm))和2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(II)(縮寫：PtOEP)等。另外，三(乙醯丙酮)(單啡啉)鋱(III)(縮寫：Tb(acac)3(Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酸(propanedionato))(單啡啉)銪(III)(縮寫：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](單啡啉)銪(III)(縮寫：Eu(TTA)3(Phen))等稀土金屬錯合物可以得到由稀土金屬離子發射的光(不同多重體之間的電子躍遷)，所以這類稀土金屬錯合物可以用作磷光化合物。
    另外，作為發光層703，可以採用將上述發光有機化合物(客體材料)分散在其他物質(主體材料)的結構。作為主體材料，可以使用各種物質，較佳的是，使用其最低空分子軌道能階(LUMO能階)高於發光物質的最低空分子軌道能階且其最高佔據分子軌道能階(HOMO能階)低於發光物質的最高佔據分子軌道能階的物質。
    作為主體材料，明確而言，例如可以使用如下材料：金屬錯合物，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(III)(縮寫：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(縮寫：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(II)(縮寫：BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚(phenylphenolato))鋁(III)(縮寫：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(II)(縮寫：Znq)、雙[2-(2-苯並噁唑基)苯酚(phenolato)]鋅(II)(縮寫：ZnPBO)以及雙[2-(2-苯並噻唑基)苯酚]鋅(II)(縮寫：ZnBTZ)等；雜環化合物，諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(縮寫：PBD)、1,3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(縮寫：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(縮寫：TAZ)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(縮寫：TPBI)、紅菲繞啉(縮寫：BPhen)以及浴銅靈(縮寫：BCP)等；稠合芳香族化合物，諸如CzPA、DNA、DPPA、t-BuDNA、DPAnth、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：DPCzPA)、9,9’-聯蒽(bianthryl)(縮寫：BANT)、9,9’-(二苯乙烯-3,3’-二基)二菲(縮寫：DPNS)、9,9’-(二苯乙烯-4,4’-二基)二菲(縮寫：DPNS2)以及3,3’,3”-(苯-1,3,5-三基)三芘(縮寫：TPB3)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基屈(diphenylchrysene)等；或者芳香胺化合物，諸如N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(縮寫：DPhPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(縮寫：PCAPBA)、2PCAPA、NPB(或α-NPD)、TPD、DFLDPBi、BSPB等。
    另外，可以使用多種主體材料。例如，為了抑制結晶化，還可以添加紅熒烯等抑制結晶化的物質。此外，為了更有效地將能量移動到客體材料，還可以添加NPB或Alq等。
    藉由採用將客體材料分散到主體材料的結構，可以抑制發光層703的結晶化。此外，還可以抑制因客體材料的濃度高而發生的濃度猝滅。
    另外，作為發光層703，還可以使用高分子化合物。明確而言，作為發射藍光的材料，可以舉出聚(9,9-二辛基茀-2,7-二基)(縮寫：PFO)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(2,5-二甲氧基苯-1,4-二基)](縮寫：PF-DMOP)、聚{(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-[N,N’-二-(對-丁基苯基)-1,4-二氨基苯]}(縮寫：TAB-PFH)等。另外，作為發射綠光的材料，可以舉出聚(對-亞苯基亞乙烯基)(縮寫：PPV)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-alt-co-(苯並[2,1,3]噻二唑-4,7-二基)](縮寫：PFBT)、聚[(9,9-二辛基-2,7-二亞乙烯基亞茀基(divinylenefluorenylene))-alt-co-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基)等。另外，作為發射橙光至紅光的材料，可以舉出聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基](縮寫：MEH-PPV)、聚(3-丁基噻吩-2,5-二基)(縮寫：R4-PAT)、聚{[9,9-二己基-2,7-雙(1-氰基亞乙烯基)亞茀基]-alt-co-[2,5-雙(N,N’-二苯基氨基)-1,4-亞苯基]}、聚([2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-雙(1-氰基亞乙烯基亞苯基)]-alt-co-[2,5-雙(N,N’-二苯基氨基)-1,4-亞苯基]}(縮寫：CN-PPV-DPD)等。
    另外，藉由設置多個發光層，使每個層的發光顏色互不相同，可以作為整個發光元件得到所希望的顏色的發光。例如，在具有兩個發光層的發光元件中，藉由使第一發光層的發光顏色和第二發光層的發光顏色成為互補色，也可以得到作為整個發光元件發射白色光的發光元件。另外，同樣原理可以應用於具有三個以上的發光層的發光元件。
    電子傳輸層704是包含電子傳輸性高的物質的層。作為電子傳輸性高的物質，例如可以舉出具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物等，諸如Alq、Almq3、BeBq2或BAlq等。另外，也可以使用具有噁唑基或噻唑基配體的金屬錯合物等，諸如ZnPBO或ZnBTZ等。再者，除了金屬錯合物以外，還可以使用PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP等。在此所述的物質主要是電子遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。另外，電子傳輸層不侷限於單層，還可以為兩層以上的包含上述物質的疊層。
    電子注入層705是包含電子注入性高的物質的層。電子注入層705可以使用鹼金屬、鹼土金屬或者它們的化合物，諸如鋰、銫、鈣、氟化鋰、氟化銫、氟化鈣或者氧化鋰等。此外，可以使用氟化鉺等稀土金屬化合物。或者，也可以使用上述構成電子傳輸層704的物質。
    另外，上述電洞注入層701、電洞傳輸層702、發光層703、電子傳輸層704、電子注入層705分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗覆法等方法形成。
    圖6B所示的電荷產生層709可以使用上述複合材料來形成。另外，電荷產生層709也可以是包括複合材料的層和包括其他材料的層的疊層結構。在該情況下，作為包括其他材料的層，可以使用包含具有電子給予性的物質和電子傳輸性高的物質的層或包括透明導電膜的層等。
    作為圖6C所示的複合材料層708，可以使用使上述電洞傳輸性高的有機化合物包含受體物質而成的複合材料。
    作為電子注入緩衝層706，可以使用如下電子注入性高的物質，諸如鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬以及它們的化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))等。
    另外，當電子注入緩衝層706包含電子傳輸性高的物質及施體物質時，較佳的是，以相對於電子傳輸性高的物質的品質比為0.001以上且0.1以下的比率添加施體物質。另外，作為施體物質，可以使用如下物質：鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬及它們的化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))；以及四硫萘並萘(tetrathianaphthacene)(縮寫：TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。另外，作為電子傳輸性高的物質，可以使用與上述電子傳輸層704的材料相同的材料。
    電子中繼層707包含電子傳輸性高的物質，並且將該電子傳輸性高的物質的LUMO能階設定為複合材料層708所包含的受體物質的LUMO能階與電子傳輸層704所包含的電子傳輸性高的物質的LUMO能階之間的值。另外，當電子中繼層707包含施體物質時，將該施體物質的施體能階也設定為複合材料層708所包含的受體物質的LUMO能階與電子傳輸層704所包含的電子傳輸性高的物質的LUMO能階之間的值。至於能階的具體數值，較佳的是，將電子中繼層707所包含的電子傳輸性高的物質的LUMO能階設定為-5.0eV以上，更較佳地設定為-5.0eV以上且-3.0eV以下。
    較佳的是，作為電子中繼層707所包含的電子傳輸性高的物質，使用酞菁類材料或具有金屬-氧接合和芳香配體的金屬錯合物。
    較佳的是，作為電子中繼層707所包含的酞菁類材料，明確而言，使用CuPc、SnPc(Phthalocyanine tin(II)complex：酞菁錫(II)錯合物)、ZnPc(Phthalocyanine zinc complex：酞菁鋅錯合物)、CoPc(Cobalt(II)phthalocyanine，β-form：酞菁鈷(II)，β-型)、FePc(Phthalocyanine Iron：酞菁鐵)以及PhO-VOPc(Vanadyl 2,9,16,23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanine：2,9,16,23-四苯氧基-29H,31H-酞菁氧釩)中的任一種。
    較佳的是，作為電子中繼層707所包含的具有金屬-氧接合和芳香配體的金屬錯合物，使用具有金屬-氧的雙鍵的金屬錯合物。由於金屬-氧的雙鍵具有受體性(容易接受電子的性質)，因此電子的移動(授受)變得更加容易。此外，可以認為具有金屬-氧的雙鍵的金屬錯合物是穩定的。因而，藉由使用具有金屬-氧的雙鍵的金屬錯合物，可以以低電壓更穩定地驅動發光元件。
    較佳的是，作為具有金屬-氧接合和芳香配體的金屬錯合物，使用酞菁類材料。明確而言，較佳的是，使用VOPc(Vanadyl phthalocyanine：釩氧酞菁)、SnOPc(Phthalocyanine tin(IV)oxide complex：酞菁氧化錫(IV)錯合物)以及TiOPc(Phthalocyanine titanium oxide complex：酞菁氧化鈦錯合物)中的任一種，這是因為在分子結構方面上金屬-氧的雙鍵容易對其他分子起到作用且其受體性高的緣故。
    另外，較佳的是，作為上述酞菁類材料，使用具有苯氧基的材料。明確而言，較佳的是，使用PhO-VOPc等具有苯氧基的酞菁衍生物。具有苯氧基的酞菁衍生物可以溶解於溶劑中。因此，當形成發光元件時容易處理。並且，由於可以溶解於溶劑中，所以容易維修用於成膜的裝置。
    電子中繼層707還可以包含施體物質。作為施體物質，可以使用如下物質：鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬及其化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))等。除此之外，還可以使用四硫萘並萘(縮寫：TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。另外，藉由使電子中繼層707包含這些施體物質，使電子容易移動，從而能夠以更低電壓驅動發光元件。
    當使電子中繼層707包含施體物質時，作為電子傳輸性高的物質，除了上述材料以外還可以使用其LUMO能階比包含在複合材料層708中的受體物質的受體能階高的物質。明確而言，較佳地使用在-5.0eV以上，更佳地在-5.0eV以上且-3.0eV以下的範圍內具有LUMO能階的物質。作為這種物質，例如可以舉出苝衍生物、含氮稠環芳香化合物等。另外，因為含氮稠環芳香化合物具有穩定性，所以作為用來形成電子中繼層707的材料是較佳的。
    作為苝衍生物的具體例子，可以舉出3,4，9，10-苝四羧酸二酐(縮寫：PTCDA)、3,4,9,10-苝四羧酸雙苯並咪唑(縮寫：PTCBI)、N,N’-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(縮寫：PTCDI-C8H)、N,N’-二己基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(縮寫：Hex PTC)等。
    另外，作為含氮稠環芳香化合物的具體例子，可以舉出吡嗪並[2，3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(縮寫：PPDN)、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯並菲(縮寫：HAT(CN)6)、2,3-二苯基吡啶並[2,3-b]吡嗪(縮寫：2PYPR)、2,3-雙(4-氟苯基)吡啶並[2,3-b]吡嗪(縮寫：F2PYPR)等。
    除了上述物質以外，還可以使用7,7,8,8，-四氰基對醌二甲烷(縮寫：TCNQ)、1,4,5,8-萘四羧酸二酐(縮寫：NTCDA)、全氟稠五苯(perfluoropentacene)、十六氟酞菁銅(縮寫：F16CuPc)、N,N’-雙(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十五氟辛基)-1,4,5,8-萘四羧酸二醯亞胺(縮寫：NTCDI-C8F)、3’,4-二丁基-5,5”-雙(二氰基亞甲基)-5,5”-二氫-2,2’：5’,2”-三噻吩(縮寫：DCMT)、亞甲基富勒烯(例如，[6，6]-苯基C61酪酸甲酯)等。
    另外，當使電子中繼層707包含施體物質時，藉由共蒸鍍電子傳輸性高的物質和施體物質等的方法形成電子中繼層707，即可。
    如上所述，可以製造本實施方式的EL層。
    本實施方式可以與其他實施方式自由地組合。 實施方式5
    在本實施方式中，使用圖7A至圖8說明使用本發明的一個方式的發光裝置完成的各種電子裝置以及照明設備的一個例子。
    作為使用發光裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝像機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等大型遊戲機等。圖7A至圖7E示出這些電子裝置及照明設備的具體例子。
    圖7A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示影像，並可以將發光裝置用於顯示部7103。另外，在此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
    可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關、另外提供的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部7103上顯示的影像進行操作。另外，也可以採用在遙控器7110中設置顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部7107的結構。
    另外，電視機7100採用具備接收機及數據機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通信網路，也可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(在發送者和接收者之間或在接收者之間等)的資訊通信。
    圖7B示出電腦，該電腦包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指向裝置7206等。另外，該電腦是藉由將發光裝置用於其顯示部7203來製造的。
    圖7C示出可攜式遊戲機，該可攜式遊戲機由外殼7301和外殼7302的兩個外殼構成，並且藉由連接部7303可以開閉地連接。外殼7301組裝有顯示部7304，而外殼7302組裝有顯示部7305。另外，圖7C所示的可攜式遊戲機還具備揚聲器部7306、儲存介質插入部7307、LED燈7308、輸入單元(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(包括測量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風7312)等。當然，可攜式遊戲機的結構不侷限於上述結構，只要在顯示部7304和顯示部7305中的兩者或一方中使用發光裝置即可，而可以採用適當地設置有其他附屬設備的結構。圖7C所示的可攜式遊戲機具有如下功能：讀出儲存在儲存介質中的程式或資料並將其顯示在顯示部上；以及藉由與其他可攜式遊戲機進行無線通信而實現資訊共用。另外，圖7C所示的可攜式遊戲機所具有的功能不侷限於此，而可以具有各種功能。
    圖7D示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，將發光裝置用於顯示部7402來製造行動電話機7400。
    圖7D所示的行動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入資訊。另外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件等的操作。
    顯示部7402主要有三種屏面模式。第一模式是主要用於顯示影像的顯示模式。第二模式是主要用於輸入文字等資訊的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。
    例如，在打電話或製作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，並進行在屏面上顯示的文字的輸入操作，即可。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的屏面的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。
    另外，藉由在行動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，而可以對顯示部7402的屏面顯示進行自動切換。
    另外，藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作，切換屏面模式。此外，也可以根據顯示在顯示部7402上的影像的種類而切換屏面模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將屏面模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將屏面模式切換成輸入模式。
    另外，當在輸入模式下藉由檢測出顯示部7402的光感測器所檢測的信號得知在一定期間內沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以進行控制以將屏面模式從輸入模式切換成顯示模式。
    還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。另外，藉由將發射近紅外光的背光或發射近紅外光的傳感用光源用於顯示部，還可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
    圖7E示出桌燈，其包括照明部7501、燈罩7502、可調支架(adjustable arm)7503、支柱7504、台7505、電源開關7506。另外，桌燈是藉由將發光裝置用於照明部7501來製造的。注意，照明設備還包括固定到天花板上的照明設備、掛在牆上的照明設備等。
    圖8示出將發光裝置用作室內照明設備811的例子。發光裝置還可以實現大面積化，從而可以用作大面積的照明設備。另外，還可以將發光裝置用於捲動型(roll-type)照明設備812。另外，如圖8所示，也可以在具備室內照明設備811的房間內同時使用圖7E所示的桌燈813。
    藉由上述方式，可以使用發光裝置得到電子裝置或照明設備。發光裝置的應用範圍極為寬，而可以應用於所有領域的電子裝置。
    另外，本實施方式所示的結構可以適當地與上述實施方式所示的結構組合而使用。 實施例1
    在本實施例中，參照圖10至圖12對使用本發明的一個方式的影像顯示裝置進行說明。另外，本實施例的影像顯示裝置中的分隔壁的頂面形狀與發光單元的位置關係相當於圖1A的結構。 <本實施例的影像顯示裝置的製造方法>
    首先，作為基板加熱處理，以650℃的溫度加熱玻璃基板200(旭硝子株式會社製造，產品名稱：AN100)。
    接著，在玻璃基板200上形成基底層204。基底層204包括層疊有藉由CVD法形成的厚度為100nm的氮化矽膜和厚度為150nm的氧氮化矽膜的多層膜。
    接著，在基底層204上形成閘極電極206。閘極電極206是層疊有藉由濺射法形成的厚度為30nm的氮化鉭膜、厚度為200nm的銅膜和厚度為30nm的鎢膜的多層膜。
    接著，在閘極電極206上形成閘極絕緣層208。閘極絕緣層208是層疊有藉由CVD法形成的厚度為50nm的氮化矽膜和厚度為270nm的氧氮化矽膜的多層膜。
    接著，在閘極絕緣層208上形成半導體層210。作為半導體層210，使用藉由濺射法形成的厚度為35nm的In-Ga-Zn類氧化物膜。In-Ga-Zn類氧化物膜使用原子比為In：Ga：Zn=1：1：1的In-Ga-Zn類氧化物靶材形成。以下示出形成條件：氧及氬氛圍下(氧流量比率為50%)；壓力為0.6Pa；電源功率為5kW；並且基板溫度為200℃。
    在形成半導體層210之後，在氮氛圍下以450℃的溫度進行1小時的加熱處理，然後在氮及氧氛圍下(氧流量比率為50%)以450℃的溫度進行1小時的加熱處理。
    接著，形成源極電極212a及汲極電極212b。源極電極212a及汲極電極212b是層疊有藉由濺射法形成的厚度為50nm的鎢膜、厚度為400nm的鋁膜、厚度為100nm的鈦膜的多層膜。
    在形成源極電極212a及汲極電極212b之後，在氧氛圍下以300℃的溫度進行1小時的加熱處理。
    接著，設置包括如下多層膜的第一層間絕緣層213並在氧氛圍下以300℃的溫度進行1小時的加熱處理，上述多層膜層疊有藉由濺射法形成的厚度為400nm的氧化矽膜及利用CVD法形成的厚度為200nm的氮氧化矽膜。
    然後，形成如下第二層間絕緣層214並在氧氛圍下以300℃的溫度進行1小時的加熱處理，上述第二層間絕緣層214包括利用旋塗機(spin coater)形成的厚度為1.5μm的聚醯亞胺膜。
    接著，在第二層間絕緣層214上形成導電層215。導電層215是層疊有藉由濺射法形成的厚度為100nm的鈦膜、厚度為400nm的鋁膜和厚度為100nm的鈦膜的多層膜。
    然後，形成如下第三層間絕緣膜216並在氧氛圍下以270℃的溫度進行1小時的加熱處理，上述第三層間絕緣膜216包括利用旋塗機形成的厚度為1.5μm的聚醯亞胺膜。
    接著，在第三層間絕緣膜216上形成發光元件的第一電極218。第一電極218是層疊有厚度為50nm的鈦膜、厚度為200nm的鋁膜和厚度為8nm的鈦膜的多層膜。
    發光元件在第一電極218上具備微腔結構(未圖示)，該微腔結構包括含有矽的銦錫氧化物(ITSO)。本實施例的影像顯示裝置具備紅色的像素(R)、綠色的像素(G)及藍色的像素(B)的三種顏色的像素。在此，作為紅色的像素(R)形成厚度為80nm的ITSO膜，作為綠色的像素(G)形成厚度為40nm的ITSO膜。另外，作為藍色的像素(B)不形成ITSO膜(換言之，藍色的像素中的ITSO膜是0nm)。
    接著，形成覆蓋第一電極218的端部的絕緣層224。作為絕緣層224，利用旋塗機形成厚度為1.5μm的聚醯亞胺膜。然後，在氧氛圍下以250℃的溫度進行1小時的加熱處理。絕緣層224的寬度為12μm(參照圖11A的寬度L1)。
    接著，在絕緣層224上形成包含感光聚醯亞胺樹脂的分隔壁250。分隔壁250的寬度為5μm(參照圖11A的寬度L2)，長度為70μm，並且高度(厚度)為1.5μm。
    圖10示出此時的本實施例的影像顯示裝置的剖面圖的一個例子。
    另外，圖11A示出利用掃描透射電子顯微鏡(STEM：Scanning Transmission Electron Microscopy)拍攝的剖面照片。
    然後，藉由蒸鍍法形成EL層220。圖12示出EL層220的結構。另外，以下示出在本實施例中使用的材料的結構式。
    作為形成EL層220的預處理，在對基板表面進行清洗之後，在減壓下以150℃的溫度進行1小時的乾燥處理。
    首先，藉由共蒸鍍9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：PCzPA)和氧化鉬(VI)，形成第一電洞注入層301a。其膜厚為10nm，並且將PCzPA和氧化鉬的品質比調節為2：1(=PCzPA：氧化鉬)。另外，共蒸鍍法是指在一個處理室內同時從多個蒸發源進行蒸鍍的蒸鍍方法。
    接著，在第一電洞注入層301a上形成厚度為20nm的PCzPA膜，由此形成第一電洞傳輸層302a。
    接著，藉由共蒸鍍9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)和N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺(縮寫：1,6mMemFLPAPrn)，在第一電洞傳輸層302a上形成藍色發光層303a。藍色發光層303a的厚度為30nm，並且將CzPA與1,6mMemFLPAPrn的品質比調節為9：1(CzPA：1,6mMemFLPAPrn)。
    接著，在藍色發光層303a上形成厚度為10nm的CzPA膜，再者形成厚度為10nm的紅菲繞啉(縮寫：BPhen)膜，由此形成第一電子傳輸層304a。
    接著，在第一電子傳輸層304a上蒸鍍厚度為0.2nm的鋰(Li)膜，再者蒸鍍厚度為2nm的酞菁銅(縮寫：CuPc)膜，由此形成中間層305。
    接著，藉由在中間層305上共蒸鍍PCzPA和氧化鉬(VI)，形成第二電洞注入層301b。第二電洞注入層301b的厚度為10nm，並且將PCzPA與氧化鉬的品質比調節為2：1(=PCzPA：氧化鉬)。
    接著，在第二電洞注入層301b上形成厚度為20nm的4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(縮寫：BPAFLP)膜，由此形成第二電洞傳輸層302b。
    接著，藉由共蒸鍍2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f，h]喹喔啉(縮寫：2mDBTPDBq-II)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(縮寫：PCBA1BP)和(乙醯丙酮)雙(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(縮寫：[Ir(tBuppm)2(acac)])，在第二電洞傳輸層302b上形成綠色發光層303b。在此，將2mDBTPDBq-II、PCBA1BP和[Ir(tBuppm)2(acac)]的品質比調節為0.74：0.18：0.08(=2mDBTPDBq-II：PCBA1BP：[Ir(tBuppm)2(acac)])。另外，將綠色發光層303b的厚度設定為20nm。
    再者，共蒸鍍2mDBTPDBq-II和(二新戊醯甲烷)雙(2,3,5-三苯基吡嗪)銥(III)(縮寫：[Ir(tppr)2(dpm)]，在綠色發光層303b上形成紅色發光層303c。在此，將2mDBTPDBq-II和[Ir(tppr)2(dpm)]的品質比調節為0.94：0.06(=2mDBTPDBq-II：[Ir(tppr)2(dpm)])。另外，將紅色發光層303c的厚度設定為20nm。
    接著，在紅色發光層303c上形成厚度為15nm的2mDBTPDBq-II，再者形成厚度為20nm的BPhen，由此形成第二電子傳輸層304b。
    接著，在第二電子傳輸層304b上蒸鍍厚度為1nm的氟化鋰(LiF)，由此形成電子注入層306。
    接著，共蒸鍍鎂(Mg)和銀(Ag)形成厚度為15nm的膜，再者形成厚度為70nm的ITO，由此形成第二電極222。將Mg與Ag的品質比調節為1：10(=Mg：Ag)。
    如上所述的那樣形成發光元件。另外，如上所述的那樣，雖然各像素所具備的EL層220具有同一結構，但是藉由採用微腔結構，紅色的像素的發光元件發射紅色光，綠色的像素的發光元件發射綠色光，且藍色的像素的發光元件發射藍色光。
    另外，對作為對置基板的設置有濾色片的玻璃基板(旭硝子株式會社製造，產品名稱：AN100)塗布作為密封材料的紫外線固化樹脂(Nagase chemteX株式會社製造，XNR5516Z)。
    然後，將玻璃基板200貼合到設置有濾色片的玻璃基板。施加100Pa至20000Pa的壓力進行貼合。
    然後，藉由利用高壓汞燈對密封材料進行1分鐘的照射，使密封材料固化。
    然後，在潔淨烘箱內以80℃的溫度進行1小時的加熱處理。
    最後，利用劃片裝置進行分離來得到本實施例的影像顯示裝置。明確而言，將影像顯示裝置分成四個，由此得到四個藉由上述方法製造的影像顯示裝置。
    藉由上述製程能夠製造使用本發明的一個方式的影像顯示裝置。
    圖11B示出包括在本實施例的影像顯示裝置中的一個發光單元的發光時的照片。如圖11B所示的那樣，能夠確認到發光單元的發光。 實施例2
    在本實施例中，參照圖12至圖16B對使用本發明的一個方式的影像顯示裝置進行說明。 <影像顯示裝置的結構及製造方法>
    對使用本發明的一個方式的影像顯示裝置(結構例子)和不使用本發明的一個方式的影像顯示裝置(比較例子)的結構及製造方法進行說明。
    首先，在設置有電晶體的支撐基板上形成發光元件的下部電極。下部電極是層疊有如下膜的多層膜，上述膜是：厚度為200nm的含有鑭的鋁-鎳合金膜；以及厚度為6nm的鈦膜。
    另外，結構例子所具備的電晶體的結構與比較例子所具備的電晶體的結構相同。明確而言，結構例子和比較例子都具備將單晶矽膜用於半導體層的電晶體。
    發光元件在下部電極上具備微腔結構，該微腔結構包括含有矽的銦錫氧化物(ITSO)。結構例子和比較例子具備紅色的像素(R)、綠色的像素(G)及藍色的像素(B)的三種顏色的像素。在結構例子中，紅色的像素(R)具有厚度為80nm的ITSO膜，綠色的像素(G)具有厚度為40nm的ITSO膜。在比較例子中，紅色的像素(R)具有厚度為90nm的ITSO膜，綠色的像素(G)具有厚度為45nm的ITSO膜。另外，在結構例子和比較例子中，作為藍色的像素(B)不形成ITSO膜(換言之，藍色的像素中的ITSO膜的厚度是0nm)。
    接著，形成覆蓋下部電極的端部的絕緣層。在結構例子中，作為絕緣層形成厚度為1.8μm的聚醯亞胺層。在比較例子中，作為絕緣層形成厚度為1.5μm的聚醯亞胺層。
    接著，只在結構例子中，在絕緣層上形成厚度為1.5μm的分隔壁。作為分隔壁，使用負性抗蝕劑(ZEON CORPORATION製造，ZNP2464)。
    在此，圖13A和圖13B示出結構例子及比較例子中的多個發光單元401的俯視圖。圖13A示出結構例子，其中在絕緣層403上具備分隔壁405。圖13B示出比較例子，其中在絕緣層403上不具備分隔壁405。
    在圖13A和圖13B中，發光單元401的短邊的長度L3是13.5μm，並且長邊的長度L4為50.5μm。另外，在圖13A和圖13B中，彼此相鄰的發光單元401之間的寬度L5、L6分別是5μm。在圖13A中，分隔壁405的長邊的長度與發光單元401的長邊的長度L4相等，即50.5μm，並且短邊的長度L7是3μm。
    然後，形成EL層220。圖12示出EL層220的結構。另外，第一電極218相當於上述下部電極，並且第二電極222相當於後述的上部電極。用於EL層220的材料是在上述實施例中使用的材料，所以省略結構式。以下對EL層220的製造方法進行詳細說明。
    首先，藉由共蒸鍍PCzPA和氧化鉬(Ⅵ)，形成第一電洞注入層301a。其厚度為20nm，並且將PCzPA和氧化鉬的品質比調節為2：1(=PCzPA：氧化鉬)。
    接著，在第一電洞注入層301a上形成厚度為20nm的PCzPA膜，由此形成第一電洞傳輸層302a。
    接著，藉由共蒸鍍CzPA和1,6mMemFLPAPrn，在第一電洞傳輸層302a上形成藍色發光層303a。藍色發光層303a的厚度為30nm，並且將CzPA與1,6mMemFLPAPrn的品質比設定為1：0.05(CzPA：1,6mMemFLPAPrn)。
    接著，在藍色發光層303a上形成厚度為5nm的CzPA，再者形成厚度為15nm的BPhen，由此形成第一電子傳輸層304a。
    接著，在第一電子傳輸層304a上以0.1nm的厚度蒸鍍氧化鋰，再者以2nm的厚度蒸鍍CuPc，由此形成中間層305。
    接著，藉由在中間層305上共蒸鍍PCzPA和氧化鉬(VI)，形成第二電洞注入層301b。第二電洞注入層301b的厚度為20nm，並且將PCzPA與氧化鉬的品質比調節為2：1(=PCzPA：氧化鉬)。
    接著，在第二電洞注入層301b上形成厚度為20nm的BPAFLP膜，由此形成第二電洞傳輸層302b。
    接著，藉由共蒸鍍2mDBTPDBq-II、PCBA1BP和[Ir(tBuppm)2(acac)]，在第二電洞傳輸層302b上形成綠色發光層303b。在此，將2mDBTPDBq-II、PCBA1BP和[Ir(tBuppm)2(acac)]的品質比調節為0.8：0.2：0.06(=2mDBTPDBq-II：PCBA1BP：[Ir(tBuppm)2(acac)])。另外，將綠色發光層303b的厚度設定為20nm。
    再者，共蒸鍍2mDBTPDBq-II和[Ir(tppr)2(dpm)]，在綠色發光層303b上形成紅色發光層303c。在此，將2mDBTPDBq-II和[Ir(tppr)2(dpm)]的品質比調節為1：0.06(=2mDBTPDBq-II：[Ir(tppr)2(dpm))。另外，將紅色發光層303c的厚度設定為20nm。
    接著，在紅色發光層303c上形成厚度為15nm的2mDBTPDBq-II，再者形成厚度為15nm的BPhen，由此形成第二電子傳輸層304b。
    接著，在第二電子傳輸層304b上以1nm的厚度蒸鍍LiF，由此形成電子注入層306。
    然後，在EL層上形成作為上部電極的第二電極222。上部電極是層疊有厚度為15nm的鎂-銀合金膜和厚度為70nm的ITO膜的多層膜。
    藉由上述步驟形成發光元件。
    接著，用密封材料將支撐基板貼合到設置有濾色片的對置基板。
    藉由上述步驟形成結構例子及比較例子。
    圖14A示出結構例子所具備的絕緣層及分隔壁的剖面照片。在圖14A的虛線所示的地點EL層被斷開。另外，圖14B示出比較例子所具備的絕緣層的剖面照片。在圖14B中，沒有EL層被分離的地點。
    另外，圖15A和圖15B示出使結構例子的藍色的像素發射光時的照片。圖15A是亮度為5cd/m2時的照片，而圖15B是亮度為150cd/m2時的照片。圖16A和圖16B示出使比較例子的藍色的像素發射光時的照片。圖16A是亮度為5cd/m2時的照片，而圖16B是亮度為150cd/m2時的照片。
    如圖16A和圖16B所示的那樣，在比較例子中，不僅藍色的像素也發射光，而且紅色的像素及綠色的像素發射光。另一方面，如圖15A和圖15B所示的那樣，在結構例子中，只有藍色的像素發射光。並且，在圖15A和圖15B中不發生藍色的像素的發光不良。
    根據本實施例的結果，可知：藉由在彼此相鄰且呈現不同顏色的發光單元之間設置反錐形的分隔壁，並在該發光單元之間利用該分隔壁使EL層(至少導電性高的層)斷開，可以抑制處於非發光狀態的發光元件不意圖性地發射光。並且，還可知：在彼此相鄰且呈現相同顏色的發光單元之間可以抑制由於起因於上部電極的電阻的電位下降而發生發光不良。 (參考例子)
    說明在上述實施例中使用的(乙醯丙酮)雙(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(縮寫：[Ir(tBuppm)2(acac)])的合成方法。
    [步驟1：4-叔丁基-6-苯基嘧啶(縮寫：HtBuppm)的合成]
    (a-1)示出步驟1的合成方案。
    首先，在安裝有回流管的茄形燒瓶中放入22.5g的4，4-二甲基-1-苯基戊烷-1,3-二酮及50g的甲醯胺，並用氮置換茄形燒瓶內部的空氣。藉由對該反應容器進行加熱，使反應溶液回流5小時。然後，將該溶液注入到氫氧化鈉水溶液中，並使用二氯甲基抽出有機層。使用水、飽和食鹽水對所得到的有機層進行洗滌，並使用硫酸鎂進行乾燥。過濾乾燥之後的溶液。在蒸餾而去除該溶液的溶劑之後，利用以己烷：乙酸乙酯=10：1(體積比)為展開溶劑的矽膠柱層析法使所得到的殘渣純化，由此得到嘧啶衍生物的HtBuppm(無色油狀物，收率為14%)。 [步驟2：二-μ-氯-雙[雙(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)](縮寫：[Ir(tBuppm)2Cl]2)的合成]
    (a-2)示出步驟2的合成方案。
    接著，在安裝有回流管的茄形燒瓶中放入15mL的2-乙氧基乙醇、5mL的水、149g的藉由上述步驟1得到的HtBuppm及1.04g的水合氯化銥(IrCl3．H2O)，並用氬置換茄形燒瓶內部的空氣。然後，照射1小時微波(2.45GHz，100W)來使其起反應。在蒸餾而去除該溶劑之後，用乙醇抽濾所得到的殘渣，進行洗滌，來得到雙核錯合物[Ir(tBuppm)2Cl]2(黃綠色粉末，收率為73%)。 [步驟3：[Ir(tBuppm)2(acac)]的合成]
    (a-3)示出步驟3的合成方案。
    再者，在安裝有回流管的茄形燒瓶中放入40mL的2-乙氧基乙醇、1.61g的藉由上述步驟2得到的雙核錯合物[Ir(tBuppm)2Cl]2、0.36g的乙醯丙酮及1.27g的碳酸鈉，並用氬置換茄形燒瓶內部的空氣。然後，照射60分鐘微波(2.45GHz，120W)，來使其起反應。蒸餾而去除溶劑，用乙醇抽濾所得到的殘渣，並使用水、乙醇對該殘渣進行洗滌。將所得到的固體溶解於二氯甲基，並使其經過依次層疊了矽藻土(日本和光純藥工業株式會社、目錄號碼：531-16855)、氧化鋁、矽藻土的助濾劑，來過濾混合物。藉由使用二氯甲基和己烷的混合溶劑使蒸餾而去除溶劑來得到的固體再結晶，得到黃色粉末的目的物(收率為68%)。
    下面示出利用核磁共振分光法(1H-NMR)對藉由上述步驟3得到的黃色粉末進行分析的結果。根據該結果，可知藉由本合成例得到了[Ir(tBuppm)2(acac)]。
    1H-NMR.δ(CDCl3)：1.50(s,18H),1.79(s,6H),5.26(s,1H),6.33(d,2H),6.77(t,2H),6.85(t,2H),7.70(d,2H),7.76(s,2H),9.02(s,2H)。
    100‧‧‧絕緣表面
    104‧‧‧絕緣層
    106‧‧‧閘極電極
    108‧‧‧閘極絕緣層
    110‧‧‧半導體層
    112a‧‧‧源極電極層
    112b‧‧‧汲極電極層
    114‧‧‧絕緣層
    116‧‧‧絕緣層
    118‧‧‧第一電極
    120‧‧‧EL層
    120a‧‧‧EL層
    120b‧‧‧EL層
    122‧‧‧第二電極
    124‧‧‧絕緣層
    130‧‧‧發光元件
    140‧‧‧電晶體
    150‧‧‧分隔壁
    150a‧‧‧腳部
    150b‧‧‧台部
    151‧‧‧分隔壁
    152‧‧‧電晶體
    153‧‧‧電晶體
    160B‧‧‧發光單元
    160G‧‧‧發光單元
    160R‧‧‧發光單元
    161B‧‧‧發光單元
    161G‧‧‧發光單元
    161R‧‧‧發光單元
    164‧‧‧黑矩陣
    166‧‧‧濾色片
    168‧‧‧保護層
    169‧‧‧密封區域
    170‧‧‧公共佈線
    200‧‧‧玻璃基板
    204‧‧‧基底層
    206‧‧‧閘極電極
    208‧‧‧閘極絕緣層
    210‧‧‧半導體層
    212a‧‧‧源極電極
    212b‧‧‧汲極電極
    213‧‧‧第一層間絕緣層
    214‧‧‧第二層間絕緣層
    215‧‧‧導電層
    216‧‧‧第三層間絕緣層
    218‧‧‧第一電極
    220‧‧‧EL層
    222‧‧‧第二電極
    224‧‧‧絕緣層
    250‧‧‧分隔壁
    301a‧‧‧第一電洞注入層
    301b‧‧‧第二電洞注入層
    302a‧‧‧第一電洞傳輸層
    302b‧‧‧第二電洞傳輸層
    303a‧‧‧藍色發光層
    303b‧‧‧綠色發光層
    303c‧‧‧紅色發光層
    304a‧‧‧第一電子傳輸層
    304b‧‧‧第二電子傳輸層
    305‧‧‧中間層
    401‧‧‧發光單元
    403‧‧‧絕緣層
    405‧‧‧分隔壁
    306‧‧‧電子注入層
    701‧‧‧電洞注入層
    702‧‧‧電洞傳輸層
    703‧‧‧發光層
    704‧‧‧電子傳輸層
    705‧‧‧電子注入層
    706‧‧‧電子注入緩衝層
    707‧‧‧電子中繼層
    708‧‧‧複合材料層
    709‧‧‧電荷產生層
    801‧‧‧基板
    802‧‧‧發光部
    803‧‧‧驅動電路部
    804‧‧‧驅動電路部
    805‧‧‧固定部
    806‧‧‧基板
    807‧‧‧接觸部
    811‧‧‧照明設備
    812‧‧‧照明設備
    813‧‧‧桌燈
    7100‧‧‧電視機
    7101‧‧‧外殼
    7103‧‧‧顯示部
    7105‧‧‧支架
    7107‧‧‧顯示部
    7109‧‧‧操作鍵
    7110‧‧‧遙控器
    7201‧‧‧主體
    7202‧‧‧外殼
    7203‧‧‧顯示部
    7204‧‧‧鍵盤
    7205‧‧‧外部連接埠
    7206‧‧‧指向裝置
    7301‧‧‧外殼
    7302‧‧‧外殼
    7303‧‧‧連接部
    7304‧‧‧顯示部
    7305‧‧‧顯示部
    7306‧‧‧揚聲器部
    7307‧‧‧儲存介質插入部
    7308‧‧‧LED燈
    7309‧‧‧操作鍵
    7310‧‧‧連接端子
    7311‧‧‧感測器
    7312‧‧‧麥克風
    7400‧‧‧行動電話機
    7401‧‧‧外殼
    7402‧‧‧顯示部
    7403‧‧‧操作按鈕
    7404‧‧‧外部連接埠
    7405‧‧‧揚聲器
    7406‧‧‧麥克風
    7501‧‧‧照明部
    7502‧‧‧燈罩
    7503‧‧‧可調支架
    7504‧‧‧支柱
    7505‧‧‧台
    7506‧‧‧電源開關
    在圖式中：圖1A至圖1D是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖2A至圖2D是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖3A至圖3D是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖4A至圖4C是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖5A和圖5B是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖6A至圖6C是示出本發明的一個方式的EL層的一個例子的圖，圖7A至圖7E是示出本發明的一個方式的電子裝置的一個例子的圖；圖8是示出本發明的一個方式的照明設備的一個例子的圖；圖9是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖10是根據實施例1的剖面圖；圖11A和圖11B是根據實施例1的剖面照片及發光照片；圖12是示出實施例的EL層的圖；圖13A和圖13B是根據實施例2的俯視圖；圖14A和圖14B是根據實施例2的剖面照片；圖15A和圖15B是實施例2的結構例子的發光照片；圖16A和圖16B是實施例2的比較例子的發光照片。
    150‧‧‧分隔壁
    160B‧‧‧發光單元
    160G‧‧‧發光單元
    160R‧‧‧發光單元
    161B‧‧‧發光單元
    161G‧‧‧發光單元
    161R‧‧‧發光單元
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種發光裝置，包括：基板上的第一電極及第二電極；該第一電極的一部分及該第二電極的一部分上的絕緣層；該絕緣層上的包括反錐形的部分的分隔壁；該第一電極、該第二電極、該絕緣層及該分隔壁上的包含施體物質及受體物質的第一層；該包含該施體物質及該受體物質的第一層上的包含發光物質的第二層；該包含該發光物質的第二層上的第三電極；該第三電極上的第一濾色片；以及該第三電極上的第二濾色片，其中，該包含該施體物質及該受體物質的第一層及該包含該發光物質的第二層在該分隔壁上被斷開。
    [2] 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該分隔壁的頂面形狀的長邊的長度為該第一電極的與該第二電極相對的邊的長度的90%以上。
    [3] 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第三電極與公共佈線電連接。
    [4] 根據申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該公共佈線以圍繞該第一電極及該第二電極的方式設置。
    [5] 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該施體物質為鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或稀土金屬化合物。
    [6] 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，還包括：該包含該施體物質及該受體物質的第一層和該包含該發光物質的第二層之間的包含第二發光物質的第三層；以及該包含該發光物質的第二層和該包含該第二發光物質的第三層之間的第四層，其中，該包含該第二發光物質的第三層及該第四層在該分隔壁上被斷開。
    [7] 一種在顯示部中包括根據申請專利範圍第1項之發光裝置的電子裝置。
    [8] 一種發光裝置，包括：基板上的第一電極、第二電極及第三電極；該第一電極的一部分及該第二電極的一部分上的第一絕緣層；該第一電極的一部分及該第三電極的一部分上的第二絕緣層；該第一絕緣層上的包括反錐形的部分的分隔壁；該第一電極、該第二電極、該第三電極、該第一絕緣層、該第二絕緣層及該分隔壁上的包含施體物質及受體物質的第一層；該包含該施體物質及該受體物質的第一層上的包含發光物質的第二層；該包含該發光物質的第二層上的第四電極；該第四電極上的第一濾色片；該第四電極上的第二濾色片；以及該第四電極上的第三濾色片，其中，該包含該施體物質及該受體物質的第一層及該包含該發光物質的第二層在該分隔壁上被斷開，並且，該第一濾色片和該第三濾色片包括相同顏色。
    [9] 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該分隔壁的頂面形狀的長邊的長度為該第一電極的與該第二電極相對的邊的長度的90%以上。
    [10] 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第四電極與公共佈線電連接。
    [11] 根據申請專利範圍第10項之發光裝置，其中該公共佈線以圍繞該第一電極、該第二電極及該第三電極的方式設置。
    [12] 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該施體物質為鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物或稀土金屬化合物。
    [13] 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，還包括：該包含該施體物質及該受體物質的第一層和該包含該發光物質的第二層之間的包含第二發光物質的第三層；以及該包含該發光物質的第二層和該包含該第二發光物質的第三層之間的第四層，其中，該包含該第二發光物質的第三層及該第四層在該分隔壁上被斷開。
    [14] 一種在顯示部中包括根據申請專利範圍第8項之發光裝置的電子裝置。
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    法律状态:
    优先权:
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